Полная версия
OSS Group
Авторизация
Навигация
Текущее местоположение: OSS Group :: Блоги проекта OSSG :: iNoise - Информационный шум :: Сверхтонкая альтернатива кремниевым транзисторам
Главное меню:
Главная
Документация
Разработка
Контакты
Поиск
Карта сайта
Wiki
Блоги
Доступные блоги:
iNoise - Информационный шум Новости мира OpenSource
Сверхтонкая альтернатива кремниевым транзисторам
Темы: Наука, Технологии
Совместная группа учёных из Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли (Lawrence Berkeley National Laboratory, LBNL) и Калифорнийского университета в Беркли (University of California, Berkeley) сумела создать транзистор на основе слоя арсенида индия толщиной 10 нм на кремниевой подложке.
Ссылка: http://www.medicaldaily.com/news/20101122/4106/u...alternative-to-silicon-for-future-electronics.htm
[2010-11-23 13:40:12] (Фетисов Ф. А. (faf))
Комментарии
Комментарии к новости отсутствуют.
Вернуться к просмотру блога
©2006-2024 OSS Group. All rights reserved. | Техническая поддержка: Открытые Информационные Технологии и Системы