OSSG :: Блоги :: iNoise - Информационный шум :: Сверхтонкая альтернатива кремниевым транзисторам

Темы: Наука, Технологии

Совместная группа учёных из Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли (Lawrence Berkeley National Laboratory, LBNL) и Калифорнийского университета в Беркли (University of California, Berkeley) сумела создать транзистор на основе слоя арсенида индия толщиной 10 нм на кремниевой подложке.

Ссылка: http://www.medicaldaily.com/news/20101122/4106/u...alternative-to-silicon-for-future-electronics.htm

[2010-11-23 13:40:12] (Фетисов Ф. А. (faf))

Внимание! Комментарии могут оставлять только авторизованные пользователи. Вы можете зарегистрироваться на сайте. Если Вы уже зарегистрированы на сайте проекта, воспользуйтесь авторизационной формой для входа.

Вернуться к просмотру блога

Доступные ленты новостей

Доступные темы

Навигация по сайту

Последняя новость

Сверхтонкая альтернатива кремниевым транзисторам

Комментарии